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    痕量鎵的陰極溶出伏安法

    于湛麟 黃芷芳

    于湛麟, 黃芷芳. 痕量鎵的陰極溶出伏安法[J]. 工程科學學報, 1988, 10(3): 385-390. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1988.03.019
    引用本文: 于湛麟, 黃芷芳. 痕量鎵的陰極溶出伏安法[J]. 工程科學學報, 1988, 10(3): 385-390. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1988.03.019
    Yu Zhanlin, Huang Zhifang. Determination of Micro Amount of Gallium by Cathodic Stripping Voltammetry[J]. Chinese Journal of Engineering, 1988, 10(3): 385-390. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1988.03.019
    Citation: Yu Zhanlin, Huang Zhifang. Determination of Micro Amount of Gallium by Cathodic Stripping Voltammetry[J]. Chinese Journal of Engineering, 1988, 10(3): 385-390. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1988.03.019

    痕量鎵的陰極溶出伏安法

    doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1988.03.019

    Determination of Micro Amount of Gallium by Cathodic Stripping Voltammetry

    • 摘要: 當pH=5時鎵與桑色素形成配合物吸附在懸汞電極上,產生一個敏銳的還原波。本文探索了最佳條件和共存離子的干擾,其峰電流與鎵的濃度成比例,線性范圍在1~120ppb,檢測下限為0.3ppb。實驗方法應用在攀枝花鋼廠的鋼、鐵、礦石和爐渣中鎵的測定,結果良好。

       

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    出版歷程
    • 收稿日期:  1986-10-23
    • 網絡出版日期:  2021-11-15

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