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    分子束外延InAs量子點材料的透射電子顯微鏡研究

    白元強 莫慶偉 范緹文

    白元強, 莫慶偉, 范緹文. 分子束外延InAs量子點材料的透射電子顯微鏡研究[J]. 工程科學學報, 1999, 21(2): 182-184. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1999.02.052
    引用本文: 白元強, 莫慶偉, 范緹文. 分子束外延InAs量子點材料的透射電子顯微鏡研究[J]. 工程科學學報, 1999, 21(2): 182-184. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1999.02.052
    Bai Yuanqiang, Mo Qingwei, Fan Tiwen. Study of Molecular Beam Epitaxy InAs Multilayers Dots by TEM[J]. Chinese Journal of Engineering, 1999, 21(2): 182-184. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1999.02.052
    Citation: Bai Yuanqiang, Mo Qingwei, Fan Tiwen. Study of Molecular Beam Epitaxy InAs Multilayers Dots by TEM[J]. Chinese Journal of Engineering, 1999, 21(2): 182-184. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1999.02.052

    分子束外延InAs量子點材料的透射電子顯微鏡研究

    doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1999.02.052
    基金項目: 

    國家自然科學基金(No.69576028)

    詳細信息
      作者簡介:

      白元強 男,34,工程師

    • 中圖分類號: TN304.054

    Study of Molecular Beam Epitaxy InAs Multilayers Dots by TEM

    • 摘要: 報道了利用分子束外延技術在(001)GaAs襯底上生長的單層及多層InAs量子點材料的透射電子顯微鏡(TEM)研究結果,并對量子點的結構特性進行了討論.結果表明:多層量子點呈現明顯的垂直成串排列趨勢;隨著InAs量子點層數的增加,量子點的密度下降,其尺寸隨層數的增加趨向均勻.在試驗條件下,5層量子點材料的InAs量子點厚度和GaAs隔離層的厚度的選擇都比較合理,其生長過程中的應變場更有利于自組織量子的形成.

       

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    出版歷程
    • 收稿日期:  1998-07-31
    • 網絡出版日期:  2021-08-27

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