CeO<sub>2</sub>包覆TiO<sub>2</sub>的XPS研究

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CeO₂包覆TiO₂的XPS研究

張梅, 劉振祥, 謝侃, 杜雪巖, 李文超

文章導航 > 工程科學學報 > 1999 > 21(4): 331-333

張梅, 劉振祥, 謝侃, 杜雪巖, 李文超. CeO2包覆TiO2的XPS研究[J]. 工程科學學報, 1999, 21(4): 331-333. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1999.04.004

引用本文:

張梅, 劉振祥, 謝侃, 杜雪巖, 李文超. CeO₂包覆TiO₂的XPS研究[J]. 工程科學學報, 1999, 21(4): 331-333. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1999.04.004

Zhang Mei, Liu Zhenxiang, Xie Kan, Du Xueyan, Li Wenchao. XPS Study of TiO2 Coated with CeO2 Film[J]. Chinese Journal of Engineering, 1999, 21(4): 331-333. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1999.04.004

Citation:

Zhang Mei, Liu Zhenxiang, Xie Kan, Du Xueyan, Li Wenchao. XPS Study of TiO₂ Coated with CeO₂ Film[J]. Chinese Journal of Engineering, 1999, 21(4): 331-333. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1999.04.004

張梅, 劉振祥, 謝侃, 杜雪巖, 李文超. CeO2包覆TiO2的XPS研究[J]. 工程科學學報, 1999, 21(4): 331-333. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1999.04.004

引用本文:

張梅, 劉振祥, 謝侃, 杜雪巖, 李文超. CeO₂包覆TiO₂的XPS研究[J]. 工程科學學報, 1999, 21(4): 331-333. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1999.04.004

Zhang Mei, Liu Zhenxiang, Xie Kan, Du Xueyan, Li Wenchao. XPS Study of TiO2 Coated with CeO2 Film[J]. Chinese Journal of Engineering, 1999, 21(4): 331-333. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1999.04.004

Citation:

Zhang Mei, Liu Zhenxiang, Xie Kan, Du Xueyan, Li Wenchao. XPS Study of TiO₂ Coated with CeO₂ Film[J]. Chinese Journal of Engineering, 1999, 21(4): 331-333. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1999.04.004

CeO₂包覆TiO₂的XPS研究

doi: 10.13374/j.issn1001-053x.1999.04.004

1. 北京科技大學冶金學院, 北京 100083;
2. 中科院物理所表面物理國家重點實驗室

基金項目:

國家教委博士生研究基金和福特-中國發展研究基金資助

作者簡介:
張梅女,28歲,博士

中圖分類號: O652.1
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- 被引次數: 0
出版歷程
- 收稿日期: 1998-12-15
- 網絡出版日期: 2021-08-27

XPS Study of TiO₂ Coated with CeO₂ Film

1. Metallurgy School, UST Beijing, Beijing 100083, China;
2. Institute of Physics Chinese Academy of Science

摘要: 利用光電子能譜XPS研究CeO₂包覆TiO₂后氧化還原性能.TEM照片證明實驗中制備出包覆材料;Ce3d譜線說明加入TiO₂后CeO₂非常容易還原,吸氧時它能夠再氧化.由于CeO₂的晶體結構發生畸變,CeO₂的活化能降低,有利于氧空位移動,所以CeO₂容易還原氧化.
- CeO /
- TiO /
- XPS /
- 包覆
Abstract: Redox capacity of CeO₂ coating TiO₂ is discussed.It is showed that CeO₂ is easy to be reduced and can be re-oxidized while expoursing O₂.Due to Ti⁴⁺ mixed in the CeO₂ lattice, the activation energy decrease, which attributed to oxygen vacancy migration.
- CeO₂ /
- TiO₂ /
- XPS /
- coating

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