NiO釘扎的自旋閥的結構和磁性

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NiO釘扎的自旋閥的結構和磁性

柴春林, 滕蛟, 于廣華, 姜文博, 朱逢吾, 賴武彥

文章導航 > 工程科學學報 > 2000 > 22(1): 49-51

柴春林, 滕蛟, 于廣華, 姜文博, 朱逢吾, 賴武彥. NiO釘扎的自旋閥的結構和磁性[J]. 工程科學學報, 2000, 22(1): 49-51. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.01.038

引用本文:

柴春林, 滕蛟, 于廣華, 姜文博, 朱逢吾, 賴武彥. NiO釘扎的自旋閥的結構和磁性[J]. 工程科學學報, 2000, 22(1): 49-51. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.01.038

CHAI Chunlin, TENG Jiao, YU Guanghua, JIANG Wenbo, ZHU Fengwu, LAI Wuyan. Structure and Magnetism in NiO Spin-valve[J]. Chinese Journal of Engineering, 2000, 22(1): 49-51. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.01.038

Citation:

CHAI Chunlin, TENG Jiao, YU Guanghua, JIANG Wenbo, ZHU Fengwu, LAI Wuyan. Structure and Magnetism in NiO Spin-valve[J]. Chinese Journal of Engineering, 2000, 22(1): 49-51. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.01.038

柴春林, 滕蛟, 于廣華, 姜文博, 朱逢吾, 賴武彥. NiO釘扎的自旋閥的結構和磁性[J]. 工程科學學報, 2000, 22(1): 49-51. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.01.038

引用本文:

柴春林, 滕蛟, 于廣華, 姜文博, 朱逢吾, 賴武彥. NiO釘扎的自旋閥的結構和磁性[J]. 工程科學學報, 2000, 22(1): 49-51. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.01.038

CHAI Chunlin, TENG Jiao, YU Guanghua, JIANG Wenbo, ZHU Fengwu, LAI Wuyan. Structure and Magnetism in NiO Spin-valve[J]. Chinese Journal of Engineering, 2000, 22(1): 49-51. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.01.038

Citation:

CHAI Chunlin, TENG Jiao, YU Guanghua, JIANG Wenbo, ZHU Fengwu, LAI Wuyan. Structure and Magnetism in NiO Spin-valve[J]. Chinese Journal of Engineering, 2000, 22(1): 49-51. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.01.038

NiO釘扎的自旋閥的結構和磁性

doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.01.038

1. 北京科技大學材料科學與工程學院, 北京 100083;
2. 北京出入境檢驗檢疫局, 北京 100022;
3. 中科院物理所, 北京 100080

基金項目:

國家自然科學基金(No.980606961)

作者簡介:
柴春林,男,28歲,博士生

中圖分類號: TM271
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出版歷程
- 收稿日期: 1999-11-30

Structure and Magnetism in NiO Spin-valve

1. Material Science and Engineering School, UST Beijing, Beijing 100083, China Beijing;
2. Administration for Entry-Exit Inspection and Quaratine, Beijing 100022, China;
3. Institute of Physics, Chinese Academy of Science, Beijing 100080, China

摘要: 利用反應濺射的方法制備了NiO薄膜,并研究了NiO對NiFe薄膜的釘扎作用,結果表明釘扎場與反應濺射時的Ar/O₂比例、總的濺射氣壓、基底的粗糙度等有很大關系.利用光電子能譜(XP)分析了NiO_x中的Ni,O離子的價態.并制備了NiO釘扎的自旋閥Ta/NiO/NiFe/Cu/NiFe/Ta,其磁電阻(MR)可達到2.2%,釘扎場為10.48kA/m.
- NiO /
- 自旋閥 /
- 結構 /
- 磁性
Abstract: The exchange fields of NiO/NiFe bilayer have been investigated, and the NiO film is deposited by dc magnetron reactive sputtering.It has been shown that exchange field is relation to the ratio of Ar/O₂ (Volume ration), total sputtering pressure and the roughness of substrate.The Ni and O ion in NiO_x is analyzed by means of XPS.The spin-vavie Ta/NiO/NiFe/Cu/NiFe/Ta pinned by NiO is deposited, and its magne-toresistance reaches 2.2% and pinning field is 10.48 KA/m.
- NiO /
- spin-valve /
- structure /
- magnetism

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