大面積金剛石膜生長環境氣氛的計算機模擬

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大面積金剛石膜生長環境氣氛的計算機模擬

黃天斌, 唐偉忠, 呂反修, 張維敬

文章導航 > 工程科學學報 > 2000 > 22(2): 156-159

黃天斌, 唐偉忠, 呂反修, 張維敬. 大面積金剛石膜生長環境氣氛的計算機模擬[J]. 工程科學學報, 2000, 22(2): 156-159. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.02.017

引用本文:

黃天斌, 唐偉忠, 呂反修, 張維敬. 大面積金剛石膜生長環境氣氛的計算機模擬[J]. 工程科學學報, 2000, 22(2): 156-159. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.02.017

HUANG Tianbin, TANG Weizhong, LU Fanxiu, ZHANG Weijing. Thermal Stress Analysis of Large Area Diamond Films[J]. Chinese Journal of Engineering, 2000, 22(2): 156-159. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.02.017

Citation:

HUANG Tianbin, TANG Weizhong, LU Fanxiu, ZHANG Weijing. Thermal Stress Analysis of Large Area Diamond Films[J]. Chinese Journal of Engineering, 2000, 22(2): 156-159. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.02.017

黃天斌, 唐偉忠, 呂反修, 張維敬. 大面積金剛石膜生長環境氣氛的計算機模擬[J]. 工程科學學報, 2000, 22(2): 156-159. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.02.017

引用本文:

黃天斌, 唐偉忠, 呂反修, 張維敬. 大面積金剛石膜生長環境氣氛的計算機模擬[J]. 工程科學學報, 2000, 22(2): 156-159. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.02.017

HUANG Tianbin, TANG Weizhong, LU Fanxiu, ZHANG Weijing. Thermal Stress Analysis of Large Area Diamond Films[J]. Chinese Journal of Engineering, 2000, 22(2): 156-159. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.02.017

Citation:

HUANG Tianbin, TANG Weizhong, LU Fanxiu, ZHANG Weijing. Thermal Stress Analysis of Large Area Diamond Films[J]. Chinese Journal of Engineering, 2000, 22(2): 156-159. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.02.017

大面積金剛石膜生長環境氣氛的計算機模擬

doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2000.02.017

北京科技大學材料科學與工程學院, 北京 100083

基金項目:

國家“863”高科技資助項目(No.715-002-Z030)

作者簡介:
黃天斌,男,28歲,博士

中圖分類號: Q242.1;TB43
計量
- 文章訪問數: 282
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- 被引次數: 0
出版歷程
- 收稿日期: 1999-12-30
- 網絡出版日期: 2021-08-27

Thermal Stress Analysis of Large Area Diamond Films

Materials Science and Engineering School, UST Beijing, Beijing 100083, China

摘要: 建立了直流電弧等離子體噴射ＣＶＤ大面積金剛石沉積數學模型．對襯底上方等離子體中的化學環境進行了模擬計算，并與在相同條件下對等離子體的光譜結果進行對比，發現計算結果與實驗結果基本上吻合．在模擬條件下ＣＨ基團可能是促使金剛石生長的主要活化基因．模擬結果顯示ＣＨ基因沿徑向的均勻分布對大面積金剛石膜生長有較大的意義．
- 數學模型 /
- 金剛石膜 /
- 大面積 /
- 直流電弧等離子體噴射
Abstract: Numerical model for large area diamond film deposition by DC Arc Plasma Jet CVD method is proposed. Chemical environment over the substrate surface during diamond growth were calculated, and was compared with experiment data from optical emission spectrum obtained at similar conditions. It was found that the CH radical may be main active precursor responsible for diamond growth. The overall uniform distribution of CH radical is important for large area deposition of diamond films.
- numerical model /
- diamond film deposition /
- large area /
- DC Arc Plasma Jet

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