原位合成MoSi<sub>2</sub>/SiC復合材料的組織缺陷

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原位合成MoSi₂/SiC復合材料的組織缺陷

傅曉偉, 楊王玥, 張來啟, 孫祖慶, 朱靜

文章導航 > 工程科學學報 > 2001 > 23(3): 249-252

傅曉偉, 楊王玥, 張來啟, 孫祖慶, 朱靜. 原位合成MoSi2/SiC復合材料的組織缺陷[J]. 工程科學學報, 2001, 23(3): 249-252. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2001.03.042

引用本文:

傅曉偉, 楊王玥, 張來啟, 孫祖慶, 朱靜. 原位合成MoSi₂/SiC復合材料的組織缺陷[J]. 工程科學學報, 2001, 23(3): 249-252. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2001.03.042

FU Xiaowei, YANG Wangyue, ZHANG Laiqi, SUN Zuqing, ZHU Jing. Microstructure Defects of MoSi2-SiC Composite Synthesized in Situ[J]. Chinese Journal of Engineering, 2001, 23(3): 249-252. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2001.03.042

Citation:

FU Xiaowei, YANG Wangyue, ZHANG Laiqi, SUN Zuqing, ZHU Jing. Microstructure Defects of MoSi₂-SiC Composite Synthesized in Situ[J]. Chinese Journal of Engineering, 2001, 23(3): 249-252. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2001.03.042

傅曉偉, 楊王玥, 張來啟, 孫祖慶, 朱靜. 原位合成MoSi2/SiC復合材料的組織缺陷[J]. 工程科學學報, 2001, 23(3): 249-252. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2001.03.042

引用本文:

傅曉偉, 楊王玥, 張來啟, 孫祖慶, 朱靜. 原位合成MoSi₂/SiC復合材料的組織缺陷[J]. 工程科學學報, 2001, 23(3): 249-252. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2001.03.042

FU Xiaowei, YANG Wangyue, ZHANG Laiqi, SUN Zuqing, ZHU Jing. Microstructure Defects of MoSi2-SiC Composite Synthesized in Situ[J]. Chinese Journal of Engineering, 2001, 23(3): 249-252. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2001.03.042

Citation:

FU Xiaowei, YANG Wangyue, ZHANG Laiqi, SUN Zuqing, ZHU Jing. Microstructure Defects of MoSi₂-SiC Composite Synthesized in Situ[J]. Chinese Journal of Engineering, 2001, 23(3): 249-252. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2001.03.042

原位合成MoSi₂/SiC復合材料的組織缺陷

doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2001.03.042

1. 北京科技大學材料科學與工程學院, 北京 100083;
2. 新金屬材料國家重點實驗室, 北京 100083;
3. 清華大學材料科學與工程學院, 北京 100083

基金項目:

國家自然科學基金(No.59895150-04-02)

作者簡介:
傅曉偉男,28歲,講師,博士

中圖分類號: TB332;TG148
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出版歷程
- 收稿日期: 2001-01-12

Microstructure Defects of MoSi₂-SiC Composite Synthesized in Situ

1. Material Science and Engineering School, UST Beijing Beijing 100083, China;
2. The State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, Beijing 100083, China;
3. Materials school, Tsinghua Univers

摘要: TEM和HREM研究表明,原位合成MoSi₂基復合材料的組織中,基體MoSi₂中存在較多的位錯,而且尤以MoSi₂與SiC的界面處位錯最為集中,SiC顆粒的內部缺陷的主要形式為孿晶和層錯.納米力學探針分析表明,MoSi₂/SiC界面附近存在明顯的硬度梯度,在材料制備冷卻過程中,因MoSi₂基體與SiC顆粒之間的熱膨脹系數(CTE)的差別而導致的其中的殘余熱應力是造成上述組織特征的原因.
- MoSi₂-SiC復合材料 /
- 原位合成 /
- 界面 /
- 位錯 /
- 層錯 /
- 孿晶
Abstract: TEM and HREM observations of the MoSi₂-SiC composite synthesised in situ reveal that large amounts of dislocations exist in the MoSi₂ matrix specially near the interfaces between MoSi₂ math and the SiC particles, and the SiC particles typically contain defects including twins and stacking faults. Nanoindentation investigation shows that there exists a gradient distribution of microhardness near the interface of MoSi₂/SiC. The microstructurd characters above can be attributed to the residue heat stress due to the CTE discrepancy between MoSi₂/SiC generated in the cooling process of the production.
- MoSi₂-SiC composite /
- synthesized in situ /
- interface /
- dislocations /
- stacking faults /
- twins

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