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    MgO/Si3N4復合材料表面致密層的形成機理

    王林俊 孫加林 洪彥若

    王林俊, 孫加林, 洪彥若. MgO/Si3N4復合材料表面致密層的形成機理[J]. 工程科學學報, 2004, 26(4): 400-403. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2004.04.042
    引用本文: 王林俊, 孫加林, 洪彥若. MgO/Si3N4復合材料表面致密層的形成機理[J]. 工程科學學報, 2004, 26(4): 400-403. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2004.04.042
    WANG Linjun, SUN Jialin, HONG Yanruo. Forming Mechanism of Compact Layer on the Surface of MgO/Si3N4 Composite[J]. Chinese Journal of Engineering, 2004, 26(4): 400-403. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2004.04.042
    Citation: WANG Linjun, SUN Jialin, HONG Yanruo. Forming Mechanism of Compact Layer on the Surface of MgO/Si3N4 Composite[J]. Chinese Journal of Engineering, 2004, 26(4): 400-403. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2004.04.042

    MgO/Si3N4復合材料表面致密層的形成機理

    doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2004.04.042
    基金項目: 

    國家自然科學基金資助項目(No.50172007)和國家自然科學重點基金資助項目(No.50332010)

    詳細信息
      作者簡介:

      王林俊 男,36歲,高級工程師,博士

    • 中圖分類號: TF065.1+1

    Forming Mechanism of Compact Layer on the Surface of MgO/Si3N4 Composite

    • 摘要: 研究發現MgO/Si3N4復合材料具有自阻礙氧化的性能,氧化時其表面能自發生成一層阻礙進一步氧化和提高抗侵蝕的致密層,添加Al,Si可以加厚、加寬致密層.在此基礎上,研究了無添加劑和添加Al,Si的致密層的形成機理、組成和結構.提出轉換氧分壓為衡量氣態氧化物SiO和Al2O的逸出標準,并確定氣態的SiO或Al2O可以在氧化層內部生成以及由于它們在表面的再氧化和反應使表層內形成了致密層的機理.

       

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    出版歷程
    • 收稿日期:  2003-10-08
    • 網絡出版日期:  2021-08-17

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