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    取向硅鋼中高斯晶粒異常長大選擇性行為

    崔鳳娥 楊平 毛衛民

    崔鳳娥, 楊平, 毛衛民. 取向硅鋼中高斯晶粒異常長大選擇性行為[J]. 工程科學學報, 2010, 32(9): 1157-1162. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2010.09.014
    引用本文: 崔鳳娥, 楊平, 毛衛民. 取向硅鋼中高斯晶粒異常長大選擇性行為[J]. 工程科學學報, 2010, 32(9): 1157-1162. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2010.09.014
    CUI Feng-e, YANG Ping, MAO Wei-min. Selective abnormal growth behavior of Goss grains in a grain-oriented silicon steel[J]. Chinese Journal of Engineering, 2010, 32(9): 1157-1162. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2010.09.014
    Citation: CUI Feng-e, YANG Ping, MAO Wei-min. Selective abnormal growth behavior of Goss grains in a grain-oriented silicon steel[J]. Chinese Journal of Engineering, 2010, 32(9): 1157-1162. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2010.09.014

    取向硅鋼中高斯晶粒異常長大選擇性行為

    doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2010.09.014
    基金項目: 

    國家自然科學基金資助項目(No.50871015)

    詳細信息
      作者簡介:

      崔鳳娥(1970-),女,博士研究生;楊平(1959-),男,教授,博士,E-mail:yangp121@126.com

    • 中圖分類號: TG142.77

    Selective abnormal growth behavior of Goss grains in a grain-oriented silicon steel

    • 摘要: 對CGO取向硅鋼二次再結晶中斷實驗進行了研究,發現二次再結晶升溫過程中,僅在異常長大開始前,高斯晶粒尺寸明顯大于其他晶粒,且不同取向晶粒的數量與脫碳退火時的特征一致.高斯晶粒晶界上MnS等抑制劑的優先粗化使高斯晶粒能夠率先發生異常長大,且只有晶界彎曲嚴重或經過很小的生長幾個晶粒就能合并的高斯晶粒才能成為二次晶核.在高斯晶粒異常長大過程中,晶界形貌參差不齊,呈島嶼狀.研究表明:高斯晶粒獨特的生長方式,可能是使二次再結晶能很快完成的原因.

       

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    出版歷程
    • 收稿日期:  2009-10-16

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