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    鋅還原法制備多晶硅過程影響硅產率的因素分析

    侯彥青 謝剛 陶東平 俞小花 李榮興 姚云

    侯彥青, 謝剛, 陶東平, 俞小花, 李榮興, 姚云. 鋅還原法制備多晶硅過程影響硅產率的因素分析[J]. 工程科學學報, 2011, 33(12): 1516-1522. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2011.12.019
    引用本文: 侯彥青, 謝剛, 陶東平, 俞小花, 李榮興, 姚云. 鋅還原法制備多晶硅過程影響硅產率的因素分析[J]. 工程科學學報, 2011, 33(12): 1516-1522. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2011.12.019
    HOU Yan-qing, XIE Gang, TAO Dong-ping, YU Xiao-hua, LI Rong-xing, YAO Yun. Influencing factors of silicon productivity during production of polycrystalline silicon by zinc reduction process[J]. Chinese Journal of Engineering, 2011, 33(12): 1516-1522. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2011.12.019
    Citation: HOU Yan-qing, XIE Gang, TAO Dong-ping, YU Xiao-hua, LI Rong-xing, YAO Yun. Influencing factors of silicon productivity during production of polycrystalline silicon by zinc reduction process[J]. Chinese Journal of Engineering, 2011, 33(12): 1516-1522. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2011.12.019

    鋅還原法制備多晶硅過程影響硅產率的因素分析

    doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2011.12.019
    基金項目: 

    國家自然科學基金資助項目(50574045)

    詳細信息
      通訊作者:

      侯彥青,E-mail:hhouyanqing@163.com

    • 中圖分類號: TN304.1+2;O642.4

    Influencing factors of silicon productivity during production of polycrystalline silicon by zinc reduction process

    • 摘要: 對鋅還原法過程中影響硅產率的因素進行研究.分析了當反應達到平衡,在0.1、0.3和0.6 MPa以及進料配比xZn/xSiCl4為2、4和8時,氣相平衡組分分布與溫度的關系.討論了硅產率隨溫度、壓強及xZn/xSiCl4的變化情況.結果表明,低溫、一定壓力和高xZn/xSiCl4對鋅還原過程有利.確定了影響硅產率的主要副反應.最后得到鋅還原法的最佳操作條件為溫度控制在1 200 K左右、0.2 MPa及進料配比xZn/xSiCl4=4,在此條件下硅的理論產率可為90.3%.

       

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    出版歷程
    • 收稿日期:  2010-11-03
    • 網絡出版日期:  2021-07-30

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