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    (SiC)TiN/Cu復合材料的顯微組織和導電性能

    章林 路新 何新波 曲選輝 秦明禮 朱鴻民

    章林, 路新, 何新波, 曲選輝, 秦明禮, 朱鴻民. (SiC)TiN/Cu復合材料的顯微組織和導電性能[J]. 工程科學學報, 2012, 34(12): 1410-1415. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2012.12.002
    引用本文: 章林, 路新, 何新波, 曲選輝, 秦明禮, 朱鴻民. (SiC)TiN/Cu復合材料的顯微組織和導電性能[J]. 工程科學學報, 2012, 34(12): 1410-1415. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2012.12.002
    ZHANG Lin, LU Xin, HE Xin-bo, QU Xuan-hui, QIN Ming-li, ZHU Hong-min. Microstructure and electric conductivity of(SiC)TiN/Cu composites[J]. Chinese Journal of Engineering, 2012, 34(12): 1410-1415. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2012.12.002
    Citation: ZHANG Lin, LU Xin, HE Xin-bo, QU Xuan-hui, QIN Ming-li, ZHU Hong-min. Microstructure and electric conductivity of(SiC)TiN/Cu composites[J]. Chinese Journal of Engineering, 2012, 34(12): 1410-1415. doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2012.12.002

    (SiC)TiN/Cu復合材料的顯微組織和導電性能

    doi: 10.13374/j.issn1001-053x.2012.12.002
    詳細信息
      通訊作者:

      章林,E-mail:zhanglincsu@163.com

    • 中圖分類號: TB333

    Microstructure and electric conductivity of(SiC)TiN/Cu composites

    • 摘要: 以醇鹽水解-氨氣氮化法在SiC顆粒表面包覆TiN,然后采用放電等離子體燒結制備出(SiC)TiN/Cu復合材料.結果表明:醇鹽水解-氨氣氮化法能夠制備出TiN包覆SiC復合粉末,TiN包覆層均勻連續,TiN顆粒的粒徑為30~80nm.TiN包覆層能夠促進復合材料的致密化并改善界面結合.(SiC)TiN/Cu復合材料的電導率介于15.5~35.7 m·Ω-1·mm-2之間,并且隨著SiC體積分數的增加而降低.TiN包覆層和基體中網絡結構TiN的存在能夠有效提高復合材料的電導率.復合材料的電導率較接近P.G模型的預測值.

       

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    出版歷程
    • 收稿日期:  2011-11-01
    • 網絡出版日期:  2021-07-30

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