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    反應燒結碳化硅陶瓷內筒的損毀機制

    陳俊紅 閆明偉 肖品 米文俊 宿金棟 封吉圣 孫加林

    陳俊紅, 閆明偉, 肖品, 米文俊, 宿金棟, 封吉圣, 孫加林. 反應燒結碳化硅陶瓷內筒的損毀機制[J]. 工程科學學報, 2016, 38(5): 721-725. doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2016.05.018
    引用本文: 陳俊紅, 閆明偉, 肖品, 米文俊, 宿金棟, 封吉圣, 孫加林. 反應燒結碳化硅陶瓷內筒的損毀機制[J]. 工程科學學報, 2016, 38(5): 721-725. doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2016.05.018
    CHEN Jun-hong, YAN Ming-wei, XIAO Pin, MI Wen-jun, SU Jin-dong, FENG Ji-sheng, SUN Jia-lin. Damage mechanism of reaction sintering SiC ceramic inner cylinders[J]. Chinese Journal of Engineering, 2016, 38(5): 721-725. doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2016.05.018
    Citation: CHEN Jun-hong, YAN Ming-wei, XIAO Pin, MI Wen-jun, SU Jin-dong, FENG Ji-sheng, SUN Jia-lin. Damage mechanism of reaction sintering SiC ceramic inner cylinders[J]. Chinese Journal of Engineering, 2016, 38(5): 721-725. doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2016.05.018

    反應燒結碳化硅陶瓷內筒的損毀機制

    doi: 10.13374/j.issn2095-9389.2016.05.018
    基金項目: 

    國家科技支撐計劃資助項目(2013BAF09B01)

    詳細信息
      通訊作者:

      陳俊紅,E-mail:cjh2666@126.com

    • 中圖分類號: TQ175.75

    Damage mechanism of reaction sintering SiC ceramic inner cylinders

    • 摘要: 以X射線衍射儀、掃描隧道電子顯微鏡、能量散射光譜儀等手段對在懸浮預熱器內筒上使用前后的反應燒結碳化硅陶瓷進行分析,研究該陶瓷應用于懸浮預熱器上的損毀機制.碳化硅陶瓷中殘存金屬硅和表面的碳化硅在高溫使用工況下首先氧化成SiO2,SiO2在K2O (g)、Na2O (g)、KCl (g)、Na Cl (g)等蒸氣以及氯化物作用下黏度降低,形成覆蓋于陶瓷表面的氧化層,繼而被高速的氣固流體沖蝕和磨損掉,并導致新的界面出現.如此循環,使碳化硅陶瓷的外側逐漸變薄和斷裂,直至損毀.提高陶瓷的致密性和降低殘余硅含量是改進反應燒結碳化硅陶瓷在懸浮預熱器中使用性能的有效途徑.

       

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    出版歷程
    • 收稿日期:  2015-07-07
    • 網絡出版日期:  2021-07-10

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